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　3DS（Three Dimentional Stack）とは、シリコン貫通電極（TSV：Through Silicon Via）技術により複数枚のシリコン・ダイを積層する技術を応用した規格です。 シリコン貫通電極技術（TSV）とは、積み重ねたシリコン・ダイを貫通する細長い柱状の金属電極で、上下のシリコン・ダイを電気的および機械的に接続する技術です。 TSV を採用したシリコン・ダイ接続技術では、従来技術に比べると接続配線長がきわめて短い 500点～1000点といった数多くの接続点を作れるといった利点があり、高速性を重視する半導体チップに向きます。また、3DS ではさらに、「マスタ・スレーブ」と言われるアーキテクチャを導入しており、これは積層するシリコン・ダイの中で１枚だけがマスタとなり、パッケージ外部と信号のやり取りをし、そのほかのシリコン・ダイはスレーブとしてマスタとだけ信号をやり取りします。マスタ・ダイとスレーブ・ダイを作り分けるというコスト増の要因はあるものの、電気的には入力容量と入力インダクタンスがシリコン・ダイ１個分にしかならないので高速化に適しています。

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